會員登入
帳號:
密碼:
認證:
8394
台北股市

02-22508952

0960-089349

廣告連結
QRCode 便捷網址連結

首頁 > 公司基本資料 > 力晶科技股份有限公司 > 個股新聞
個股新聞
公司全名
力晶科技股份有限公司
 
個股新聞
項次 標題新聞 資訊來源 日期
1 力晶黃祟仁:貿易戰可望停火 記憶體2Q19將谷底回升 摘錄電子 2 版 2019-03-08
2018年記憶體銷售價格逐季走跌,2019年由於伺服器、智慧手機廠商持續調整庫存,而三星電子(Samsung Electronics)面臨市佔率下降、庫存偏高的雙重壓力,恐發動新一波降價攻勢下,記憶體跌幅恐將持續擴大。

對此,力晶董事長黃崇仁表示,27日川習會之後,預估中美貿易戰應會暫時休兵,也將令半導體市況慢慢解凍,終端需求回溫,其中記憶體自第2季起將會逐步好轉,受惠5G、大數據應用起飛帶動下,車用電子、資料中心及物聯網記憶體需求將大幅增溫。

自2016年以來,PC、智慧型手機等產品對記憶體需求不斷擴大,包括PC用固態硬碟(SSD)、手機Flash和DRAM容量也在不斷加大的情況下,使得整體記憶體市場因需求讓價格進入了快速上漲的階段。然而,在價格高點之後必然進入下跌,2018年第4季DRAM價格就開始下跌,2019年首季估計將比2018年同期下跌30%。

對此黃崇仁表示,全球手機市況確實不太好,但貿易戰帶所帶來的衝擊其實是一種心態,消費者不主動消費、業者也儘量不借錢,縮減開支,以中國大陸手機業者而言,就有三大問題,包括庫存偏高、高負債及缺少現金等。大陸手機業者先縮減下單,力求庫存消化,連帶也影響全球半導體產業鏈。

但黃崇仁預期,27日川習會一定會成功,中美之間會有一定程度的停戰協定,之後市況需求回溫,包括記憶體在內的半導體產業第2季起應可顯見逐步好轉跡象,畢竟整個市場需求仍相當大且多元,各式創新應用正快速崛起。

力晶轉型晶圓代工有成,2018年獲利估逾100億元,已連續6年每年達到獲利百億元,對於力晶集團發展現況,黃崇仁表示,外在環境不能掌控,只能把技術和獲利做好,目前旗下100%控股的8吋廠子公司鉅晶已更名為力積電,並已納入力晶原本的3座12吋廠,5月1日集團切割正式完成,預計2020年申請登錄興櫃,目標2021年重返上市。

目前8吋廠稼動率仍是不錯,MOSFET需求相當強勁。預期下半年起至2020年東京奧運,TV、顯示器等相關產品話題熱度就會提前升溫,加上5G、AI應用世代來臨,包括記憶體在內的半導體市場就又會全面活絡,黃崇仁對於未來並不悲觀。
2 在陸布局順利 產能大增 摘錄經濟A5版 2019-02-01
力晶集團執行長黃崇仁昨(31)日表示,力晶集團在大陸布局相當順利,與合肥官方合資設立晶合12吋廠,專注於生產驅動IC,目前月產能已拉升至1萬片。

談到美國記憶體晶片大廠美光控告福華晉華案,美國司法部也介入調查,黃崇仁認為,「這是件非常嚴重的事,絕不能小覷。」他強調,這在過去相當罕見,已掀起當地的寒蟬效應, 預料將阻斷中國大陸發展DRAM之路。

他指出,很多市調機構原預測大陸干擾DRAM市場,將隨晉華和合肥長鑫等投產受阻,減輕對DRAM負面干擾, 只要美中貿易戰等不確定因素消除,DRAM下半年應可回溫。

黃崇仁透露,在聯電陸續解編為福建晉華開發DRAM的研發團隊後,力晶短期內不會貿然接收這些研發人員,也不會到大陸或為大陸廠商開發DRAM產品。至於力晶旗下與合肥市政府合資的晶合,也只會專注在代工面板驅動IC,不會生產DRAM產品。

外傳力晶與合肥官方拆夥,黃崇仁鄭重澄清,強調純屬謠言,晶合生產驅動IC仍照既定計畫進行,目前月產能由拉升至1萬片。

黃崇仁認為,美中貿易紛爭,雙方僵持不下,讓各產業充滿不確定因素,半導體產業也會受影響,大陸科技廠原本多會在新年度轉換時備有較多的庫存,但目前因不確定性高,會先降低庫存水位,預料第2季庫存調整消化,下半年應會回溫。
3 力晶寫驚奇 連六年賺百億 摘錄經濟A5版 2019-02-01
力晶科技轉型晶圓代工有成,內部估算去年獲利逾100億元,連續六年達到獲利百億元目標,寫下記憶體廠轉型晶圓代工的驚奇一頁。

力晶集團執行長黃崇仁透露,集團計畫明年由改名後的力積電申請登興櫃,預估2021年重返上市。

力晶曾在台灣DRAM業叱吒風雲,但也因DRAM價格崩盤,重重跌了一大跤。2008年因嚴重虧損,導致股票下櫃。

黃崇仁透露,力晶轉型晶圓代工後,目前接單狀況很好,內部估算去年獲利再度超過百億元,每股純益逾4元,但實際數字仍需等會計師簽證及董事會通過,並積極規劃重返上市。

他透露,力晶集團內部已啟動上市規畫,旗下100%控股的8吋廠子公司鉅晶更名為力積電;今年中把力晶科技的三座12吋晶圓廠及相關營業、資產讓與力積電。

明年將擁有三座12吋廠、二座8吋廠及逾6,000名員工的力積電,將以自有獨特產品技術的專業晶圓代工廠的產業定位,登錄興櫃,預估2021年在台灣重新上市。

黃崇仁強調,力晶轉型晶圓代工,無法和台積電一樣拚先進製程,卻找到由原本累積極豐富的記憶體製造經驗,在利基型產品找到一片天。

隨著第五代行動通訊(5G)、物聯網、車聯網等應用時代來臨,他強調,過去很多集中在伺服器處理的大數據,未來會改由終端產品就具備處理能力,都給力晶大展身手的好機會。

他透露,力晶目前正與以色列公司合作開發整合DRAM、微處理器、快閃記憶體和部分連網晶片的整合型記憶體,內部將這項產品定位為運算記憶體,預料今年導入試產。此外,力晶也積極開發磁阻式隨機存取記憶體(MRAM),但目前不便透露合作開發廠商。

黃崇仁表示,5G商轉後,對具運算功能的記憶體將呈百倍速度爆發,力晶集團也積極爭取蘋果供應鏈的驅動IC廠重回力晶投片,加上生技晶片未來在醫療檢驗市場應用量相當驚人,這也是力晶決定啟動在苗栗銅鑼新建全新12吋廠關鍵。
4 誰來穩住投資信心? 摘錄經濟A4版 2019-02-01
如果工商界觀看經濟部昨日記者會,看到能源主管單位回答,一定會嚇得皮皮剉。因為在減煤風潮下,在2021年就會出現缺電危機,但政府不是積極留住穩定的核電廠做為備援,反而是寄望20%不穩定的綠電,勢將重創工商界投資信心。

昨日記者會上,經濟部提不出長期電源規畫、也提不出2025、2030年能源配比,經濟部呼籲地方不要再新增對燃煤電廠限制。恐使能源政策存在風險。

工商界都寄望重啟核電以穩定供電,尤其是台積電3奈米、力晶、華邦等半導體投資案,都需要品質極佳、高穩定的電力,即便台積電要用20%綠電,其餘80%也要靠基載電力;經濟部主要指望的是綠能,包括離岸風電、太陽光電務必要「使命必達」,這也就是為何經濟部日前在躉購費率上對開發商大幅讓利的原因。
5 力晶去年大賺逾100億 摘錄工商A 11 2019-02-01
晶圓代工廠力晶去年受惠於DRAM代工、面板驅動IC、CMOS影像感測 器、電源管理IC等訂單強勁,全年合併營收達499.19億元,較前年成 長7.8%,法人預估去年獲利仍會超過100億元,等於連續6年的年度 獲利都賺逾100億元。力晶執行長黃崇仁表示,在美中貿易戰的影響 下,上半年晶圓代工市況的確不好,但有信心中美貿易爭端會很快有 共識,半導體景氣會在下半年復甦。

  另外,黃崇仁對今年DRAM市場看法亦不悲觀。他指出,包括三星、 SK海力士、美光等大廠都縮減資本支出,今年全球DRAM位元成長率將 低於20%,並創新低,但包括5G、人工智慧等新應用,卻需要搭載更 多DRAM。由此來看,第二季中下旬DRAM市況就會止穩,對下半年市場 抱持樂觀看法。

  此外,力晶在大陸合肥的合資12吋晶圓代工廠晶合集成電路(Nex chip),去年底月產能已拉升到一萬片規模。近期市場雖然傳出力晶 可能會與大陸投資方拆夥消息,不過黃崇仁否認此事。晶合總經理黎 湘鄂指出,晶合的營運符合預期,在面板驅動IC及感測器的代工業務 穩健成長,未來將會持續擴增產能,特別是大陸面板廠新產能持續開 出,對驅動IC需求持續成長,晶合可望爭取更多相關晶片代工訂單。

  不過,黃崇仁強調,根據力晶及美光的協議,晶合不會生產DRAM, 力晶在台灣的三座12吋廠仍會以DRAM代工為主。未來力晶本身會開發 出可應用在物聯網等邊緣運算的運算型記憶體,能夠將DRAM及邏輯I C整合在單顆晶片,今年下半年就可開始投片生產。

  對於力晶重新上市一案,黃崇仁表示,將依當初的規畫進行,應可 順利在2021年於台灣重新掛牌上市櫃。根據力晶的企業架構調整計畫 ,旗下8吋晶圓代工廠鉅晶電子去年更名為力晶積成電子製造股份有 限公司(簡稱力積電),今年將收購力晶所屬的三座12吋晶圓廠,並 執行銅鑼科學園區內的12吋晶圓廠興建及營運,力晶就成為控股公司 角色。
6 力晶相挺 機器人競技賽開打 董座黃崇仁鼓勵創新 致力開發AI晶片 將可應用於相關領域 摘錄經濟A12版 2019-01-26
2019台北國際電玩展中昨(25)日迎來ROBO-ONE台灣機器人競技表演賽,八位台灣的頂尖選手操作機器人,進行一對一單挑競技,各種技巧讓觀眾大開眼界,展現台灣在機器人產業領域的技術能量。

台北市電腦商業同業公會與日本最高級別ROBO-ONE大賽主辦單位日本二足機器人協會(BRA)主辦這次表演賽,參賽者須具備中華民國國籍,不限年齡與性別,機器人則必須為二足步行機器人,限重3公斤以內,同時必須使用50%以上的國產晶片。

機器人在場上競技,做出各種動作,主要是由硬體機構與軟體操控這兩大構面組成,選手必須使用數學、物理、機械、電子、電機、控制與材料等領域知識,結合晶片設計、單板電腦、伺服馬達與程式設計等來製作機器人,具體而微展現技術運用。

賽事贊助廠商力晶科技創辦人暨執行長黃崇仁表示,該公司正在發展人工智慧(AI)晶片,如果未來結合機器人,可使其效率與速度更為提升。而透過這次表演賽活動,也可鼓勵大家開發創新。

日本二足機器人協會從2002年開始,每年舉辦兩次ROBO-ONE大賽,由各國好手操控機器人,在3分鐘內運用各種競技的技巧,尋求擊敗對手。BRA理事長西村輝一指出,ROBO-ONE大賽以培養優秀的機器人工程師為目的,機器人設計逐漸進化,這次參與表演賽的選手,過去也曾在日本出賽,希望這些選手未來能為台灣的機器人產業做出貢獻。

上述表演賽共有八位參賽者,最後由汪育緯奪冠,並獲得6,000元獎金,他的機器人名稱是「疲勞濕冷蓋棉被」,重量為2.7公斤,高度為44公分,至於必殺技則是「昇龍破風腿」。另外,蘇榮誠獲得亞軍與3,000元獎金,其機器人名稱為「SRC Robot」,必殺技為「我驚我趴」。獲得季軍者為盧建廷,其機器人名稱為「自由之翼」,必殺技為「幻影燃燒拳」。

在表演賽結束後,台北市電腦商業同業公會也預計持續與BRA合作,將於今年5月,採用國際規則,在台打造第一屆ROBO-ONE台灣機器人大賽。

台灣有廣大的電子業與半導體產業聚落,是發展機器人產業的良好基礎,黃崇仁指出,力晶同時擁有邏輯IC與記憶體的技術,正在開發全球首顆CPU與記憶體整合為一的晶片產品,功能上不但速度更快,能耗也更低,目前已有國外客戶訂單,預計明年底可出貨,未來包括機器人、自駕車感測等領域都能加以應用。
7 力晶結盟法商 速效運算晶片將問世 摘錄工商B6版 2018-12-28
 法商upmem為記憶體中處理(PIM,Processing in Memory)解決方 案新創公司,日前與力晶科技正式簽約,生產「20倍速效運算晶片」 ,upmem執行長Gilles Hamou在專訪中表示,力晶給予很大的發揮空 間,趁半導體景氣欠佳之際,其產能釋出正好成雙方養兵良機,新品 可望成為搶攻科技下世代利器,共創雙贏。

  為搶攻大數據及AI商機,upmem擁記憶體內運算技術,專注於高效 能運算解決方案,這次新品針對需要大量存取交換資料的運算架構進 行優化,在晶片設計上納入大量DPU(數據處理裝置 data processi ng unit),以加速處理需求大量存取記憶體的計算,速度高出傳統 20倍,是具運算能力的記憶體。

  upmem2015年成立於法國格勒諾布爾(Grenoble),隨法國當局積 極向海外推動科技合作,於2016年來台交流時與力晶科技結緣。雙方 在歷經1年多的磋商後,決定攜手催生20倍速效運算晶片,預計明年 4月產出、5月中旬認證,最快6月正式上市。

  Gilles Hamou指出,合作夥伴擁大廠製造優勢,在原料、設備等製 造方面可全力配合,研發及銷售方面則由upmem負責,主要市場瞄準 美國與歐洲,目前也已獲得美國硬碟大廠威騰電子的支持。
8 幸福縣市首長將現身分享經驗 摘錄經濟A5版 2018-12-17
經濟日報與台灣人壽合作主辦的「2018縣市幸福指數大調查」,將於明(18)日公布最新調查結果。那個縣市是「全台最幸福」?今年獲得前三名的縣市首長都將親自出席,分享幸福施政祕訣。

縣市幸福指數大調查發布記者會將於12月18日下午1時30分,於君悅酒店二樓凱寓廳(台北市信義區松壽路2號)舉行。本活動協辦單位包括:台灣大哥大、永豐餘、永慶房產集團、裕日車、京元電、力晶。

「2018縣市幸福指數大調查」結果發布記者會由兩大主辦單位─經濟日報社長黃素娟與台灣人壽總經理莊中慶揭開序幕,緊接著揭曉今年最新的排名結果。今年幸福指數表現優異的三個縣市首長都將蒞臨,也將說明如何「有感施政」,提升民眾的幸福。

主辦單位將同時公布「幸福進步獎」,尤其外界最關注的六都,因為擁有相對豐富的資源,執政團隊也各自努力表現下,幸福指數是否明顯進步?

本調查同時採用主、客觀指標,其中主觀調查部分訪問了全台2.2萬名民眾,是全台規模最大、最深入地方、涵蓋面向最廣的幸福指數,深具指標意義。

這次調查也將公布最新的地方政府施政滿意度排名,到底那個縣市執政團隊施政讓民眾最滿意?六都可否名列前茅?

為了讓台灣發生正向改變,經濟日報自2012年起推出「縣市幸福指數大調查」,至2018年為止已經連續進行七年。經濟日報編製的「縣市幸福指數」採用經濟合作發展組織(OECD)「美好生活指數」(Your Better Life Index)編製架構,指數深入分析各縣市「主觀幸福感」與「客觀幸福力」表現。

經濟日報舉辦「縣市幸福指數大調查」活動,希望透過專業與公正的大規模民調,真實呈現出各縣市民眾心中的幸福感,不但喚醒民眾對生活與環境的重視,更藉著統計結果,提供相關單位參考,持續追蹤了解各縣市的特色與需求,進一步以具體行動投入在地發展或參與公益活動和服務,成為台灣幸福的力量。
9 DRAM新需求 靠AI、5G帶動 摘錄經濟A3版 2018-12-17
DRAM市場再度陷入景氣向下循環周期,業者認為,此波景氣調整後,下一波帶起市場需求的,將是人工智慧(AI)與第五代行動通訊(5G)兩大應用。

受市場需求不振、價格走弱影響,全球DRAM指標廠股價同步回檔修正,美國記憶體晶片大廠美光上周五(14日)重挫逾2.3%,收34.2美元,直逼一年來最低價34.06元;台灣最大DRAM南亞科上周五跌0.8元、收53.5元,本月以來跌逾一成。

業者認為,DRAM是科技產品重要元件,如今價格反轉下跌,更凸顯PC和智慧型手機市況不佳。不過記憶體業者仍樂觀看待5G和AI來臨,將開啟DRAM,甚至儲存型快閃記憶體(NAND Flash)強勁需求。

力晶集團執行黃崇仁直言,近期DRAM市場遭遇亂流,但也讓原本大舉進軍DRAM生產的中國大陸廠商開始思索是否要投入大量資源,尤其美國司法部介入美光控告晉華和聯電案,更讓大陸廠商多所顧忌,可能因此放緩擴產腳步,有助減少供給。
10 DRAM業者突圍 各出奇招 摘錄經濟A5版 2018-12-01
2009年是台灣DRAM產業最黑暗的時期,號稱兩兆雙星之一,DRAM產業卻是「慘業」,體質較好的南科、華亞科靠母集團支持、轉型,力晶與茂德則先後下櫃、甚至破產。但提升技術層次與降低量產後,南亞科如今是利基型DRAM市場的佼佼者,力晶轉型為晶圓代工廠,負責邏輯IC與記憶體代工業務,每年獲利可觀。則剛脫離重整的茂德,朝利基型DRAM再出發、也開展新的業務方向。

茂德是茂矽轉投資公司,但母公司茂矽董事長胡洪九卻被控告掏空太電上百億資金,轉投資茂矽,又掏空茂矽、涉及內線交易、洗錢。胡洪九的手法太過複雜細緻,檢調花了很長時間才起訴他,又花了13年才讓太電案定讞,茂矽內線交易案甚至無罪。

台灣DRAM廠商在金融風暴期間嘗到沒有技術、只會生產的苦果,2007年,茂德出現虧損,2009年則撐不過產業競爭與金融海嘯,宣布破產,經募資、裁員、賣廠、銀行抽銀根,茂德轉型之路異常艱辛。但銀行團進駐後,撐過重整,現在客戶已經對茂德有信心,茂德計畫在三年內達成損益兩平。

南亞科獲台塑集團的強力支持,挺過轉型陣痛期,一度減資近九成,但持續發展先進製程技術,今年前三季已賺進超過一個股本。
11 台廠看市況 DRAM相對穩定 摘錄經濟A3版 2018-11-30
南亞科、力晶、華邦電和威剛等台灣記憶體指標業者,都一致認為明年DRAM市況相對持穩,但NAND晶片供給增加,價格壓力會較大。

南亞科總經理李培瑛表示,目前的DRAM市況從供需面分析,整體需求除了個人電腦受到英特爾處理器缺貨的變數干擾外,目前伺服器、手機市場還是很健康,消費性電子的需求也不差。

他強調,國際情勢將成為本季、甚至明年最大變數,不過,DRAM供應商端仍理性控制產出,加上需求前景不悲觀,預估明年價格應會呈現緩跌走勢。
12 核電...要整體考量 摘錄經濟A2版 2018-11-28
以核養綠公投過關,藍軍大勝,在政局變化與依法行政下,賴揆不得不重新思考啟用核能,表示將與國會討論調整能源政策。民進黨主張的2025年非核家園是否真的鬆動,明年7月前,經濟部是否同意台電提出核三延役申請,將是觀察指標;不過,若只有核三成功延役,仍不足以有效降空汙、穩定供電。

核電是基載電力,有助減緩空汙,並且可以穩定供電,滿足工業發展需要,尤其是近來一波台商回流,再加上我半導體產業近年密集發展,包括台積電南科3奈米製程6,000億元、華邦在高雄3,350億元、力晶在竹科2,780億元等投資計畫,其成敗都是要仰賴高品質且穩定供電。

前台積電董事長張忠謀、力晶董事長黃崇仁都曾公開表達對未來供電的擔憂,若無法滿足產業界用電要求,勢必衝擊投資。

蔡政府近年大推綠電,但綠電建置需要時間,更有不穩定的致命缺點,而火力電廠又因空汙而成眾矢之地,IPCC經濟領域重要成員馬考(Bruce A. McCarl)今年訪台時曾建議,「空汙與核能,兩害相權取其輕,核能恐怕是必須選項」。九合一選舉中,以核養綠公投通過,其實可視為適時為2025非核家園解套。

值得注意的是,因蔡政府推動2025非核家園,核一廠已除役在即,核能發電占比已降至9%。

若執政黨只是消極地讓核三廠延役,而核一、核二如期除役、核四又繼續封存,核能占在未來三間占比恐再下殺至6%,此占比將無助於穩定供電,也無助於產業發展。

簡言之,賴揆若要全力拚經濟,要減少空汙,只有核三延役是不夠的,必須將核一、核二的延役、或是核四啟封一併納入整體考慮,保留一定比例的核能發電,台灣拚經濟才能有鞏固後盾。
13 產業大咖看淡短期景氣 摘錄經濟A3版 2018-11-28
力晶集團執行長黃崇仁、聯電共同總經理簡山傑昨(27)日均看淡短期半導體業景氣,黃崇仁認為,美中貿易戰雙方僵持不下,讓各產業充滿不確定因素,半導體產業也會受影響,預期明年第1季景氣動能會放緩 。

簡山傑則表示,半導體景氣逆風恐持續半年,也就是今年第4季與明年第1季,大家都在調整庫存,尤其是手機與汽車應用方面。

對於美中貿易戰的衝擊,簡山傑說,大家還在觀察相關影響,是有看到一些影響,但是還不大,後續還要看美中兩邊關係怎麼發展。

黃崇仁表示,中國大陸科技廠原本多會在新年度轉換時備有較多的庫存,美中貿易戰使產業充滿不確定性,因此會先降低庫存水位,必須等月底川習會塵埃落定後,情況才會逐步明朗。
14 公告本公司取得美國專利局核發US 10048717專利 摘錄資訊觀測 2018-09-28
1.專利、商標、著作或其他智慧財產權之內容:
穩壓輸出裝置
2.專利、商標、著作或其他智慧財產權之取得日期:107/08/14
3.取得專利、商標、著作或其他智慧財產權之成本:NT$ 172,236
4.其他應敘明事項:
穩壓輸出裝置包含第一電晶體、第一偏壓電流源、偏壓電阻、第二電晶體、第二
偏壓電流源及感測調整電路。第一電晶體之第一端耦接於第一偏壓電流源並輸出
參考電壓。偏壓電阻耦接於第一電晶體之第二端耦接於並接收穩壓電流。第二電
晶體的第一端接收系統電壓,其第二端輸出輸出電壓,而其控制端接收參考電壓
。第二偏壓電流源耦接於第二電晶體之第二端。感測調整電路包含補償電流源及
差動對。補償電流源耦接於第二電晶體之控制端。差動對耦接於第一電晶體及第
二電晶體。當輸出電壓過低時,差動對啟動補償電流源以提高第二電晶體之控制
端的電壓。
15 公告本公司取得經濟部智慧財產局核發TW I633553專利 摘錄資訊觀測 2018-09-28
1.專利、商標、著作或其他智慧財產權之內容:
快閃記憶體裝置及其更新方法
2.專利、商標、著作或其他智慧財產權之取得日期:107/08/21
3.取得專利、商標、著作或其他智慧財產權之成本:NT$ 54,800
4.其他應敘明事項:
一種快閃記憶體裝置,包括第一快閃記憶體單元。第一快閃記憶體單元包括第一
快閃記憶體晶片與第一加熱元件。第一加熱元件設置於第一快閃記憶體晶片的一
側,且位於第一快閃記憶體晶片的外部。
16 公告本公司取得經濟部智慧財產局核發TW I633660專利 摘錄資訊觀測 2018-09-28
1.專利、商標、著作或其他智慧財產權之內容:
半導體元件及其製造方法
2.專利、商標、著作或其他智慧財產權之取得日期:107/08/21
3.取得專利、商標、著作或其他智慧財產權之成本:NT$ 50,600
4.其他應敘明事項:
本發明提供一種半導體元件及其製造方法。半導體元件包括基底、閘介電層、閘
極、汲極以及源極。基底具有剖面為V形的溝槽。閘介電層位於基底上。閘介電層
在溝槽的側壁上具有第一厚度,且在溝槽外的基底上具有第二厚度。第一厚度大
於第二厚度。閘極位於閘介電層上。汲極與源極分別位於閘極的相對兩側的基底
中。
17 公告本公司取得經濟部智慧財產局核發TW I633408專利 摘錄資訊觀測 2018-09-28
1.專利、商標、著作或其他智慧財產權之內容:
穩壓輸出裝置
2.專利、商標、著作或其他智慧財產權之取得日期:107/08/21
3.取得專利、商標、著作或其他智慧財產權之成本:NT$ 55,000
4.其他應敘明事項:
穩壓輸出裝置包含第一電晶體、第一偏壓電流源、偏壓電阻、第二電晶體、第二
偏壓電流源及感測調整電路。第一電晶體之第一端耦接於第一偏壓電流源並輸出
參考電壓。偏壓電阻耦接於第一電晶體之第二端耦接於並接收穩壓電流。第二電
晶體的第一端接收系統電壓,其第二端輸出輸出電壓,而其控制端接收參考電壓
。第二偏壓電流源耦接於第二電晶體之第二端。感測調整電路包含補償電流源及
差動對。補償電流源耦接於第二電晶體之控制端。差動對耦接於第一電晶體及第
二電晶體。當輸出電壓過低時,差動對啟動補償電流源以提高第二電晶體之控制
端的電壓。
18 公告本公司取得日本專利局核發JP 6389937專利 摘錄資訊觀測 2018-09-28
1.專利、商標、著作或其他智慧財產權之內容:
電源控制電路以及具備電源控制電路的邏輯電路裝置
2.專利、商標、著作或其他智慧財產權之取得日期:107/08/24
3.取得專利、商標、著作或其他智慧財產權之成本:NT$ 160,290
4.其他應敘明事項:
本發明的電源控制電路用於邏輯電路,該邏輯電路對來自記憶部件的多個輸入信號
進行規定的邏輯運算,並輸出邏輯運算後的多個輸出信號。電源控制電路包括:開
關部件,切換是否將電源電壓供給至邏輯電路;多個檢測器電路,分別檢測多個輸
入信號的信號位準的變化,當檢測出信號位準的變化時,分別輸出檢測信號;以及
控制電路,基於來自多個檢測器電路的至少一個檢測信號來控制開關部件對邏輯電
路供給電源電壓,另一方面,在未從多個檢測器電路輸出檢測信號時,控制開關部
件不對邏輯電路供給電源電壓。
19 公告本公司取得日本專利局核發JP 6360610專利 摘錄資訊觀測 2018-09-28
1.專利、商標、著作或其他智慧財產權之內容:
靜態隨機存取記憶體裝置、其冗餘電路及半導體裝置
2.專利、商標、著作或其他智慧財產權之取得日期:107/06/29
3.取得專利、商標、著作或其他智慧財產權之成本:NT$ 179,174
4.其他應敘明事項:
一種用於SRAM裝置的冗餘電路,SRAM裝置包括多個輸入輸出記憶體單元。冗餘電路
包括:多個一對第1電晶體及第2電晶體,各連接於電源電壓與各輸入輸出記憶體單
元的電源端子之間,第1電晶體及第2電晶體彼此並聯地連接,第1電晶體具有較第2
電晶體大的互導;以及冗餘控制電路,於將第1電晶體關斷且使第2電晶體導通時對
各輸入輸出記憶體單元的電源端子的電壓進行檢測,當電源端子的電壓自規定的基
準電壓降低了規定值以上時,將輸入輸出記憶體單元判定為不良狀態,且將不良狀
態的輸入輸出記憶體單元冗餘置換為正常的輸入輸出記憶體單元。
20 公告本公司取得中華人民共和國國家知識產權局核發 CN 3048395專利 摘錄資訊觀測 2018-09-28
1.專利、商標、著作或其他智慧財產權之內容:
快閃記憶體的製作方法
2.專利、商標、著作或其他智慧財產權之取得日期:107/08/24
3.取得專利、商標、著作或其他智慧財產權之成本:NT$ 62,445
4.其他應敘明事項:
本發明提供一種快閃記憶體的製作方法,特別採用等向性蝕刻的方式移除介電層,
製作方法包含首先提供一鰭狀結構,鰭狀結構包含一浮置閘極材料層、一氧化層和
一半導體層,一絕緣層設置於鰭狀結構之兩側,然後形成一介電層順應地覆蓋浮置
閘極材料層以及絕緣層,之後形成一圖案化第一遮罩層、一圖案化第二遮罩層、一
控制閘極由上至下依序堆疊於介電層上,並且控制閘極橫跨至少一個鰭狀結構,接
著進行至少一次的一第一等向性蝕刻步驟,以浮置閘極材料層和?緣層作為蝕刻停
止層,等向性移除曝露的介電層,直至介電層被完全移除。
 
第 1 頁/ 共 4 頁 共( 73 )筆
 
 
免責聲明:
本站為未上市、興櫃股票資訊分享社群網站從不介入任何未上市股票買賣、交易,相關資訊若與主管機關資料相左以主管機關資料為準
內容如涉及有價證券或商品相關之記載或說明者,並不構成要約,使用者請自行斟酌,若依本資料交易後盈虧自負。
 
回到頁首