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個股新聞
公司全名
力晶科技股份有限公司
 
個股新聞
項次 標題新聞 資訊來源 日期
1 DRAM續漲 南亞科晶豪科認購旺 摘錄工商B7版 2017-10-02

  受惠新款智慧型手機、伺服器端資料中心、PC應用等三大需求湧現 ,互搶DRAM貨源,帶動第4季DRAM合約價與現貨價將出現雙漲走勢, 業界指出,預估第4季DRAM合約價約漲10%到15%,現貨價則漲逾15 %,為今年第2季以來,漲幅最高的一季。建議投資人可留意相關產 業個股,如南亞科(2408)、晶豪科(3006)等。

  美光股價再創新高,南亞科也持續賣出美光持股,累計今年第3季 ,南亞科處分美光持股獲利高達3.77億美元,折合新台幣逾百億元, 對每股貢獻約4元,並超越上半年獲利。

  此外,受惠第三季DRAM價格續漲,本業獲利將比第二季更佳,本業 即可挹注每股獲利逾1元,加上業外收益豐碩,南亞科第三季EPS逼近 5元。今年前三季EPS上看8元,今年將挑戰賺一個股本以上。

  法人指出,NOR Flash市況明顯好轉,主要是受惠於智慧型手機搭 載OLED面板及採用TDDI晶片,均需另外外掛NOR Flash來儲存程式碼 ,而旺宏及華邦電因自有產能受限,下半年已無多餘產能可以供貨, 晶豪科則在武漢新芯、華虹NEC、力晶等晶圓代工廠的產能奧援下, 成為下半年唯一可以大量供貨的業者,也因此拿下大陸手機大廠訂單 。

  今年在三大產品線行動型DRAM、利基型DRAM、NOR Flash等價格同 步大漲,法人看好今年營收將逐季成長及順利突破百億元大關,獲利 表現亦將水漲船高。

  永豐金證券衍商部表示,投資人若看好個股後市表現,可利用認購 權證來參與個股行情,可自行挑選在價平附近權證來進行交易。
2 公告本公司取得經濟部智慧財產局核發TW I592759專利 摘錄資訊觀測 2017-09-29
1.專利、商標、著作或其他智慧財產權之內容:
結構上的光阻圖案製程
2.專利、商標、著作或其他智慧財產權之取得日期:106/07/21
3.取得專利、商標、著作或其他智慧財產權之成本: NT$ 50,600
4.其他應敘明事項:
一種結構上的光阻圖案製程,包括:提供基底,此基底包括第一區以及多個第二
區,其中第二區位於第一區的相對兩側,且多個突起圖案形成於基底上;於第一
區上形成光阻圖案,其中當突起圖案至少位於第一區上且與待形成的光阻圖案的
位置重疊時,在形成光阻圖案之前,移除突起圖案。
3 公告本公司取得經濟部智慧財產局核發TW I593120專利 摘錄資訊觀測 2017-09-29
1.專利、商標、著作或其他智慧財產權之內容:
電容器結構及其製造方法
2.專利、商標、著作或其他智慧財產權之取得日期:106/07/21
3.取得專利、商標、著作或其他智慧財產權之成本:NT$ 59,800
4.其他應敘明事項:
一種電容器結構的製造方法,包括以下步驟。於第一導體層上形成堆疊結構,其
中堆疊結構從第一導體層起依序包括第一介電層、蝕刻終止層與第二介電層。於
堆疊結構中形成介層窗,其中介層窗包括阻障層與導電插塞,且介層窗與第一導
體層電性連接。於第二介電層中形成第一開口,其中第一開口環繞介層窗。移除
導電插塞,以形成第二開口。於第一開口與第二開口中形成電容結構,其中電容
結構包括下電極、電容介電層以及上電極,且下電極與第一導體層電性連接。
4 公告本公司取得經濟部智慧財產局核發TW I592810專利 摘錄資訊觀測 2017-09-29
1.專利、商標、著作或其他智慧財產權之內容:
衡量二元資料於時間等級的群聚級別的無母數分析方法
2.專利、商標、著作或其他智慧財產權之取得日期:106/07/21
3.取得專利、商標、著作或其他智慧財產權之成本:NT$ 47,600
4.其他應敘明事項:
一種衡量二元資料於時間等級的群聚級別的無母數分析方法。將工程資料中的樣
本集合分成目標組與對照組,並按照時間順序來對各樣本設定等級。自目標組中
,獲得最小等級與最大等級,藉此來設定特徵區間。在特徵區間中,計算目標組
的等級平均值與對照組的等級平均值。在建立虛擬樣本集合之後,基於目標組的
等級平均值與對照組的等級平均值的比較結果,以及特徵區間的最大等級與最小
等級,將虛擬樣本集合納入分析資料集合,並重新設定新的等級,而獲得調整後
資料。對調整後資料執行曼-惠特尼U檢定,以獲得二元資料於時間等級的群聚級
別指標。
5 公告本公司取得經濟部智慧財產局核發TW I599028專利 摘錄資訊觀測 2017-09-29
1.專利、商標、著作或其他智慧財產權之內容:
影像感測器及其製作方法
2.專利、商標、著作或其他智慧財產權之取得日期:106/07/21
3.取得專利、商標、著作或其他智慧財產權之成本:NT$ 95,540
4.其他應敘明事項:
本發明提供了一種影像感測器,其包括一感光元件、一內連線結構、一介電疊層
、一反射層以及一阻障層。感光元件設置於一基底內,而內連線結構設置於基底
表面。介電疊層設置於基底表面並覆蓋感光元件,其中內連線結構設置於介電疊
層內,且介電疊層之頂面包括至少一突起部分位於感光元件之一側。反射層覆蓋 
介電疊層之突起部分,且反射層之剖面形狀包括一倒V字形圖案或包括一倒U字形
圖案。阻障層覆蓋於反射層上。
6 公告本公司取得美國專利局核發US 9709335專利 摘錄資訊觀測 2017-09-29
1.專利、商標、著作或其他智慧財產權之內容:
爐管製程的派工控制方法
2.專利、商標、著作或其他智慧財產權之取得日期:106/07/18
3.取得專利、商標、著作或其他智慧財產權之成本:NT$ 164,571
4.其他應敘明事項:
一種爐管製程的派工控制方法,包括下列步驟。在多批晶圓進入爐管之前,算出
各批晶圓的特性變異值。將多批晶圓依照特性變異值的大小進行排序。將多批晶
圓依照特性變異值由大到小的順序對應於爐管中造成特性變異值變小到變大的多
個位置擺放在爐管中。
7 公告本公司取得美國專利局核發US 9704898專利 摘錄資訊觀測 2017-09-29
1.專利、商標、著作或其他智慧財產權之內容:
具有奈米腔的集成生物感測器及其製作方法
2.專利、商標、著作或其他智慧財產權之取得日期:106/07/11
3.取得專利、商標、著作或其他智慧財產權之成本:NT$ 382,440
4.其他應敘明事項:
一種生物感測器,包含有一基底,其上設有一光感測區。在基底上設有一第一介
電層、一擴散阻擋層、一第二介電層。第二介電層中設有一溝槽凹陷結構,其內
設有一濾光材料層,被一上蓋層封蓋住。上蓋層上設有一第一鈍化層以及一奈米
腔結構層,其中於奈米腔結構層中,設有一奈米腔。於奈米腔的側壁及底部設有
一第二鈍化層。
8 公告本公司取得美國專利局核發US 9735228專利 摘錄資訊觀測 2017-09-29
1.專利、商標、著作或其他智慧財產權之內容:
多層王冠型金屬-絕緣體-金屬電容器結構及其製作方法
2.專利、商標、著作或其他智慧財產權之取得日期:106/08/15
3.取得專利、商標、著作或其他智慧財產權之成本:NT$ 280,978
4.其他應敘明事項:
一種多層王冠型金屬-絕緣體-金屬電容器結構,包含有一基底,其中設有一導電
區域;一金屬層間介電層,設於基底上;一電容溝渠,貫穿金屬層間介電層,顯
露出導電區域;一電容下電極結構,設於電容溝渠內,包括一第一下電極及一第
二下電極,其中第一下電極環繞著第二下電極,且第一下電極直接接觸導電區域
;一導電支撐底座,位於電容溝渠內,固定並電連接第一下電極及第二下電極的
底部;一電容介電層,順形的設置在第一下電極、第二下電極及導電支撐底座的
表面上;以及一電容上電極,設置在電容介電層上。
9 公告本公司取得美國專利局核發US 9704579專利 摘錄資訊觀測 2017-09-29
1.專利、商標、著作或其他智慧財產權之內容:
非揮發性半導體記憶裝置及其抹除方法
2.專利、商標、著作或其他智慧財產權之取得日期:106/07/11
3.取得專利、商標、著作或其他智慧財產權之成本:NT$ 234,923
4.其他應敘明事項:
本發明的非揮發性半導體記憶裝置包括控制電路,所述控制電路藉由對包含設置
在多個字元線與多個位元線的各交叉點上的記憶胞元的記憶胞元陣列的規定的塊
施加規定的抹除電壓而進行資料的抹除,且所述控制電路藉由對所述記憶胞元陣
列的緣端部以外的偶數的字元線及奇數的字元線施加互不相同的字元線電壓,對
所述記憶胞元陣列的緣端部的字元線施加與所述字元線電壓不同的電壓,將所述
抹除電壓施加至記憶胞元來抹除資料。
10 公告本公司取得日本專利局核發JP 6166810專利 摘錄資訊觀測 2017-09-29
1.專利、商標、著作或其他智慧財產權之內容:
半導体記憶裝置
2.專利、商標、著作或其他智慧財產權之取得日期:106/07/19
3.取得專利、商標、著作或其他智慧財產權之成本:NT$ 177,466
4.其他應敘明事項:
本發明降低半導體記憶裝置再新時的大的峰值電流IDDP,並且確保位元線的感測
放大器容限為規定值以上。半導體記憶裝置在多條字元線與多條位元線的各交叉
點處分別具有記憶胞元,且具備從來自多個記憶胞元的多條資料線讀出資料的感
測放大器、及具有從多條資料線鎖存資料的第1電晶體的感測放大器鎖存電路,其
中,與多條字元線平行的相同行線的多個感測放大器被分割為多個感測放大器電
路群組,所述經分割的感測放大器電路群組更包括第2電晶體,所述第2電晶體基
於從資料讀出時的字元線啟動開始延遲的鎖存信號,來鎖存讀出資料。
11 公告本公司取得中華人民共和國國家知識產權局核發 CN 2546050專利 摘錄資訊觀測 2017-09-29
1.專利、商標、著作或其他智慧財產權之內容:
CMOS影像感測單元及其製造方法
2.專利、商標、著作或其他智慧財產權之取得日期:106/07/07
3.取得專利、商標、著作或其他智慧財產權之成本:NT$67,488
4.其他應敘明事項:
一種CMOS影像感測單元及其製造方法。所述影像感測單元包括感光二極體、轉移
閘、重置閘、源極隨耦閘、轉移閘與重置閘之間的浮汲極區、以及PIP型電容器,
其中PIP型電容器的複晶矽下電極與浮汲極區和源極隨耦閘電性連接,而兼作為浮
汲極區和源極隨耦閘之間的內連線。所述製造方法包括:在浮汲極區和源極隨耦
閘上形成接觸窗,然後形成PIP型電容器,其複晶矽下電極與各接觸窗連接。
12 公告本公司取得中華人民共和國國家知識產權局核發 CN 2590480專利 摘錄資訊觀測 2017-09-29
1.專利、商標、著作或其他智慧財產權之內容:
非揮發性記憶體及其製作方法
2.專利、商標、著作或其他智慧財產權之取得日期:106/08/18
3.取得專利、商標、著作或其他智慧財產權之成本:NT$ 78,752
4.其他應敘明事項:
一種非揮發性記憶體及其製作方法。此非揮發性記憶體包括基底、多個字元線、
多個選擇線以及摻雜區。基底具有記憶胞區與二個選擇線區。選擇線區分別位於
記憶胞區的相對兩側。字元線設置於記憶胞區中。選擇線設置於選擇線區中。每
一字元線的線寬與每一選擇線的線寬相同。相鄰的字元線之間的間距、相鄰的選
擇線之間的間距以及相鄰的選擇線與字元線之間的間距相同。摻雜區位於每一字
元線兩側以及每一選擇線區的兩側的基底中。
13 銀行衝聯貸 今年續拚成長 鎖定不動產、電子及鋼鐵業等,全年挑戰突破340億美元 摘錄工商A9版 2017-09-16
  景氣緩步復甦,各銀行積極開發聯貸案,以增加資金運用效益,目 前大致以不動產業、觀光業、工程業、鋼鐵業等為主,雖然今年上半 年僅有87.3億美元,較去年同期的153.4億美元大幅下滑,但下半年 的案子逐步開展中,今年整體仍希望較去年的340億美元還要成長。

  台灣聯貸市場去年主要的案子為美光新台幣800億元聯貸案,這是 近年來少有的大型併購案融資。

  今年以來最大的則是面板大廠友達擴產的聯貸案,創下250%的驚 人超額認購,最後20家參貸銀行的認購金額竟然高達500億元,最後 以230億元的規模結案。

  臺企銀主管指出,目前重點個案有「興富發集團」在高雄市的住宅 暨五星級飯店案,金額74.26億元,今年全年預估總案量約200億元。 華銀目前洽談的聯貸案產業則分布在電子業、製造業、石化業等。

  土銀上半年的重要主辦聯貸案件為正義國宅(龍麟建設暨三圓建設 公司)聯貸案,屬不動產開發業,利率水準均符合一般市場行情。土 銀主管強調,後續除不動產業外,也將開發到包括電子業、傳產製造 業等其他產業,並且配合政府相關政策,如都市更新、綠能產業、新 南向政策等,辦理各項專案融資。

  彰銀分析,國內市場上半年聯貸案,多數為舊案屆期重組再融資, 新案包括購置商業大樓、建廠及購置機器設備等資本支出融資,例如 日盛國際租賃、力晶科技、耐斯廣場、大連金屬等聯貸案。

  利率方面,新台幣聯貸案仍力守1.7%下限,不過不少大型企業或 是集團,為了取得更好利率,由聯貸改採「化整為零」的自貸模式, 利率就不受1.7%的影響。整體來說,銀行分析聯貸案利率,按客戶 資歷而定,一般客戶新台幣約2~2.5%左右,美元約LIBOR加200~2 50個基本點。

  華南銀行主管說,目前市場上新台幣資金充足,銀行存款去化不易 ,預估聯貸市場新台幣利率水準應與去年相當;彰化銀行表示,上半 年新台幣聯貸的最低利率水準大致在稅前1.7%,預估未來半年亦將 維持此一水準;此外,上半年有關美元聯貸的最低利率水準大致在2 %以上,未來半年若美國持續調升美元利率,就可能跟著走揚。
14 SEMICON Taiwan登場 創半導體業新高峰 摘錄經濟D1版 2017-09-13
SEMI(國際半導體產業協會)主辦的全台最具影響力的半導體產業盛事「SEMICON Taiwan(國際半導體展)」,今(13)日起至15日於台北南港展覽館一館1、4樓舉行。如全球半導體產業持續成長,SEMICON Taiwan今年規模持續擴大,聚集700家國內外領導廠商,展出1,800個攤位,預期吸引超過45,000位專業人士參觀,再為展會規模創下紀錄。

SEMICON Taiwan於12日舉辦展前媒體茶會,邀請物聯網、智慧汽車、智慧製造與智慧醫療等領域相關重量級人物進行對談,探討在這些新興應用的蓬勃發展下,半導體產業將會面臨哪些機會與挑戰,而台灣又該如何利用既有優勢持續在全球市場中維持競爭力。

根據研調機構IC Insights預估,今年半導體產業資本支出可望高達809億美元,創下歷史新高紀錄,年增幅達20%,顯示在物聯網、智慧製造、智慧車用電子及智慧醫療等應用趨勢發展下,將持續帶動相關製程、設備及材料供應鏈發展,台灣半導體產業可望迎來下一個高峰。

SEMI台灣區總裁曹世綸表示,22年來SEMICON Taiwan不僅成功連結全球與台灣,也是半導體產業與政府之間的溝通平台。有別於主流的手機晶片應用,今年SEMICON Taiwan聚焦物聯網、智慧製造、智慧運輸、智慧醫療等四大新興應用趨勢發展,透過更多元的展覽內容與活動,促進不同領域間精英的交流與資源整合,期望拓展更多合作與商機,共創台灣半導體產業另一個成功的高峰。

20專區

創造全球合作商機

看好台灣半導體產業的成長態勢,今年SEMICON Taiwan共規劃20個專區,新增循環經濟、化合物半導體、雷射、光電半導體及歐洲矽谷專區等5大專區,加上既有的自動光學檢測、化學機械研磨、高科技廠房、材料、精密機械、二手設備、智慧製造與自動化及半導體設備零組件國產化等主題專區,及海峽兩岸、德國、荷蘭、韓國、日本九州、日本沖繩、新加坡等國家╱地區專區,將帶給參觀者更完整的產業全貌與國際視野,並與國際接軌協助推動更多跨國合作商機。

重量級講師

分享產業發展關鍵

隨著物聯網、智慧運輸、5G行動通訊、AR與VR及人工智慧等應用快速發展,視為半導體產業成長關鍵動能。眾所矚目的科技菁英領袖高峰論壇今年將以「Transformation-AKey to Solution」為題外,展期間亦規劃27場的國際論壇剖析劃時代議題,邀請來自業界超過150位重量級講師,包括台積電、聯電、力晶、NVIDIA、美光及Amkor等,針對物聯網、智慧製造、智慧運輸、智慧醫療、人工智慧、循環經濟等熱門話題,分享未來下世代半導體產業發展趨勢及因應策略。

高峰論壇+

探討新技術與挑戰

同時與SEMICON Taiwan同期舉辦之系統級封測(SiP)國際高峰論壇,連續三天將分別以「封裝於汽車電子的創新應用」、「3D IC, 3D Interconnection為AI與高階運算架構基礎」及「實現3D-SiP元件創新『內埋式基板(Embedded Substrate)』與『扇出型(Fan Out)』技術」等三大主題,分享2.5D╱3D-IC技術趨勢及內埋與晶圓級封裝技術之革新與挑戰。

此外,今年ITC(International Test Conference)將首度移師亞洲,與SEMICON Taiwan同期舉行第一屆ITC-Asia國際測試會議暨展覽會。探討在物聯網與車用電子等新興應用的快速崛起,及先進製程、3D堆疊、系統級封裝等技術持續進展的雙重趨勢推動下,半導體測試技術正面臨全新的挑戰。
15 力晶黃崇仁:台灣半導體仍具競爭力 超越日本是因文化而非技術 摘錄電子 2 版 2017-09-13
力晶董事長黃崇仁在2017年Semicon大展展前記者會中表示,對於台灣半導體產業的發展,跟大家想法不太一樣,他認為台灣半導體產業仍極具競爭力,即便是大陸積極崛起,對於台廠來說也沒有太大問題,台灣已經超越了日本半導體產業,主因係文化而非技術層面。

黃崇仁表示,台灣半導體產業不管兩岸競合或是大陸崛起,成長仍非常穩定,大陸崛起影響最大的是日本半導體廠商,當時日本甚至曾有過50%以上市佔率,如記憶體的東芝(Toshiba)、感測器的Sony,都是一方之霸。

但走過PC時代,跨入智慧型手機,即將迎來物聯網(IoT)時代,其實IoT裝置需要3個關鍵晶片,包括記憶體、CPU、通訊三要素,台廠要做其實難度不高,剩下就是系統應用,這是他人比台廠強的部分,但在半導體領域,台廠比大陸業者有絕對領先優勢。

關於人工智慧(AI)的發展,當然NVIDIA有其強項,但分析AI市場生態,沒有大數據(Big Data)就沒有AI。如大陸使用支付寶,也因此大陸政府可以了解每個使用者的行動。

黃崇仁說明,台灣半導體是可以做下去,還有很強競爭力,至少台廠已經把日本打垮,這是因為文化而不是技術層面。即便是大陸強勢崛起,台灣之所以半導體產業可以做好,跟台灣人的工作習慣有關,大陸的文化跟台廠不太相同,大陸做電冰箱、電視等很厲害,但多半是組裝,不需要太多腦筋去做,當然台灣曾經在PC代工領域非常厲害,但有些東西不能只靠組裝,需要人才。也因此台灣適合做IC設計等半導體相關產業。

公司經營模式部分,大陸公司要花大量時間處理人事問題,比重約要花到7成時間以上,3成才是發展產業,黃崇仁也提及,以前跟日系業者合作半導體之時,他認為日廠就像是二戰時期的聯合艦隊,太愛好面子,日廠文化不會輕易刪改預算,台灣人會調整。黃崇仁進一步闡述,日本公司人事組織龐大,台灣組織相對扁平,各有好壞,但也造就台灣人反應快,還搞不清楚甚麼是AI就殺入市場。這也跟政府無關,政府對產業來說並不是助力,台灣公司只要有三條件空氣、水電、土地就可以做。雖然台灣公司不像大陸有Oppo、Vivo等大廠,但除了大陸、美國外,台灣是全球創業最容易的,日本現今做不起來,南韓IC設計業則根本沒賺錢,中型企業的蓬勃,也是台灣人可以維持下去的策略。

談到記憶體產業,黃崇仁表示,台灣DRAM業者是半調子,需要別人的技術,依賴外來技術平台,但現在有重大改變。以往PC時代的記憶體產業,仍是要看Wintel體系的臉色,比重高達75%,但現在是手機時代,行動用DRAM佔比佔整個產業比重已經快一半,下世代成長最大的應用,包括AI、IoT、虛擬實境(VR)、Server等,這些應用所用的DRAM都跟標準產品不同。包括Facebook、亞馬遜(Amazon)等國際龍頭軟體業者,成長來源還是要靠智慧型手機的通訊功能,通訊下個世代的革命來自5G,當未來影音下載越來越多的時候,就有很多快閃記憶體(Flash)需求,資料中心竄起,前段DRAM需求量也會大增

黃崇仁闡述,台灣經過2008年力晶下市、茂德破產、爾必達併入美光的大風暴後,台DRAM產業元氣大傷,現在要從谷底走起來,重新發展自己的技術。觀察下世代DRAM的特殊性,各類感測器都要加一顆記憶體提升速度,封裝的重要越來越高,使用系統級封裝(SiP)整合,需求就會相當大,三星、海力士等大廠多做標準型產品,力晶則可做特殊型產品。

黃崇仁認為,台灣DRAM產業不怕大陸競爭,大陸現在並沒有完整技術,需要東拼西湊,成本很高。台灣優勢在於美光在台灣收購了華亞科跟瑞晶,舊廠成本相對低,既有的產能估計生產DRAM成本可以差3倍。大陸雖然對於設置新產能有各種聲音,但目前唯一完成的,就也只有力晶在大陸與合肥市政府共同投資的12吋晶圓代工廠晶合。
16 蘋果新iPhone帶頭衝 3D感測應用醞釀爆發 摘錄電子 1 版 2017-09-01
蘋果(Apple)新款iPhone將內建3D感測元件,藉由人臉辨識進一步推升行動支付應用風潮,業界預期在價格、體積與效能改良下,2017年3D影像感測技術將逐步擴大導入至各類應用,並橫跨智慧型手機、虛擬實境∕擴增實境(VR/AR)與物聯網(IOT)等領域,面對未來3年全球3D感測市場的年複合成長率將超過20%,台灣3D感測產業鏈正隱然成形,將有利於搶攻全球3D感測應用市場大餅。

供應鏈業者指出,iPhone新機將採取結構光(Structured Light)感測技術,儘管感測距離為1公尺以內,但可發揮解析度出色及深度準確的特性,蘋果2017年新機僅限於旗艦機種搭載3D感測元件,但業者預期蘋果2018年起可望全面擴大導入,並帶動其他手機陣營相繼跟進,成為手機支援行動支付的標準備配。

目前3D感測三大主流技術分別為結構光、立體相機(Stereo Vision)、飛時測距(Time of Flight;ToF),其中,蘋果新款iPhone採用的結構光3D影像感測技術,適合高精度與短距離應用;立體相機是模擬人的雙眼,用兩眼視差決定與物體之間的距離,在明亮環境具有優勢。

至於飛時測距則是藉由計算光的反射時間來進行測距,由於具有長距離及快速掃描等特性,正快速進入智慧居家與消費性應用,觸角並延伸至物聯網等領域。

事實上,3D影像感測技術早在2010年便應用於Kinect遊戲機,到了2015~2016年人臉∕人流辨識再度受到矚目,2017年蘋果iPhone高階OLED版本將搭載3D感測臉部辨識,取代指紋辨識,可望引發3D感測應用需求大爆發。

由於3D感測三大主流技術各有其特性及優勢,近來國際科技大廠紛紛進行技術、平台及軟硬體的跨領域整合,包括Google、Facebook、微軟(Microsfot)等均針對3D手勢辨識技術、3D混合實境技術、3D深度感測技術等進行整合布局。

蘋果不僅2017年新款iPhone將採取結構光3D影像感測技術,亦開始在立體相機技術進行布局,由於應用領域不同,市場預期3D感測三大主流技術中,將以結構光技術創造的產值比重最高,且三大主流技術應用規模在未來3年的年複合成長率均將超過20%。

隨著3D感測技術應用日趨多元化,台系3D感測產業鏈也快速成形,包括光源、感測器、影像處理器、模組等技術環節均有廠商卡位,目前包括聯亞、華立捷、晶電等已開始出貨VCSEL(Vertical Cavity Surface Emitting Laser)磊晶產品,而雷射封裝則有聯鈞、光環等業者,至於光寶不僅供應VCSEL模組,也橫跨相機模組整合。

半導體業者台積電、聯電、力晶、世界先進等均已具備CIS感測器製造能力,影像處理器則有華晶、凌陽創新、鈺創、聯發科等多家晶片廠投入,隨著台系相關產業鏈環節陸續完成布局,業界預期在3D感測市場需求逐漸起飛及大量商品化之後,台廠在3D感測應用產值可望大幅增長。

17 半導體設備出貨連5月逾20億美元 摘錄工商A 17 2017-08-24
 國際半導體產業協會(SEMI)昨(23)日公布7月份北美半導體設 備商出貨金額達22.684億美元,較6月份的23.003億美元下滑1.4%, 終止連續5個月向上成長趨勢,與去年同期的17.079億美元相較大幅 成長32.8%,連續5個月維持在20億美元以上,顯示半導體廠的設備 投資仍維持高檔。

  SEMI總裁暨執行長Ajit Manocha分析,在經過上半年半導體設備的 強勁成長後,7月半導體設備出貨見到趨緩,不過仍較去年同期大幅 成長。SEMI維持原先對今年半導體設備市場的樂觀看法,全球設備支 出金額可望如先前推測般維持明顯的年增率,全年支出金額亦會創下 歷史新高紀錄。

  由於今年半導體設備出貨金額預期仍會創下新高,法人對於半導體 資本支出概念股看法維持樂觀,包括無塵室工程設備廠漢唐及亞翔、 晶圓傳載供應商家登、設備代工廠京鼎及帆宣、半導體檢測廠閎康及 宜特等,下半年旺季效應可期。

  根據SEMI資料,雖然7月份半導體設備出貨金額較6月小幅衰退,終 止連續5個月維持成長趨勢,但仍然連續5個月超過20億美元。

  設備業者指出,半導體設備投資金額持續放大,需求來自於先進製 程設備升級及擴建新廠,下半年因為進入設備投資的傳統旺季,預期 資本支出規模會較上半年明顯增加。

  以記憶體市場來看,最大的投資亮點仍集中在3D NAND的投資上。 包括三星、東芝、SK海力士、美光等業者,下半年將會加快將2D NA ND產能移轉到3D NAND,因為製程設備要大幅升級換新,自然帶動高 階設備出貨轉強。至於DRAM廠的投資集中在20奈米製程微縮至1x/1y 奈米,設備投資主要以汰舊換新為主。

  在邏輯IC市場部份,英特爾、台積電、三星等3大廠今年主力放在 10奈米及7奈米的產能建置,下半年是新產能快速拉升的重要關鍵時 期,對設備採購需求會明顯放大。再者,極紫外光(EUV)的先前投 資已經全面展開,最快2019年會開始進入量產階段,SEMI預期先進製 程設備投資金額持續創高,將推升下半年設備市場的快速成長。

  至於中國大陸擴建新12吋晶圓廠的動作不斷,設備業者認為,今年 大陸地區設備需求主要來自於台積電、力晶、聯電、中芯等晶圓代工 業者,至於紫光等其它業者的進度,今年主要仍是在晶圓廠廠房興建 ,設備採購需求要等到明年才會明顯成長。
18 兩岸記憶體颳自主風 南亞科欲重啟聯盟開發 摘錄電子 1 版 2017-08-02
兩岸半導體產業颳起一陣自研記憶體技術的旋風,大陸三大記憶體陣營紫光集團的長江存儲、聯電晉華、合肥睿力分別投入3D NAND和DRAM自主開發,旨於打破國際大廠主宰的局面,台灣南亞科技日前透露,除了有權向美光(Micron)技轉1x和1y技術外,也將自己研發10奈米世代的DRAM技術,總經理李培瑛指出,歡迎各方陣營一起合作開發,但依目前情勢,對象可能不包括陸資業者。



過去動不動賺一年就大賠三年的DRAM產業,不但已經擺脫劇烈的產業景氣循環,現在更因為長期缺貨而變成戰略物資,鴻海集團董事長郭台銘都因今年起採購DRAM成本大幅攀高,興起自己掌握記憶體貨源的念頭,更是積極投入搶標東芝的TMC(Toshiba Memory Corporation),而大陸更視DRAM和NAND Flash為國家型的戰略物資,瘋狂投入技術和產能布局,為的就是要擺脫南韓供應商的箝制。



全球DRAM產業維持三大(三星、SK海力士、美光)、一中(南亞科)、二小(力晶、華邦)的格局,但仔細觀之,南韓供應商幾乎包辦了該產業,現在產業看到明年都是供給吃緊,也引發各陣營重新進行策略布局。



當大家都將焦點放在大陸自建記憶體供應鏈的同時,台灣還有兩家關鍵少數的供應商近期動作頻頻,企圖擴大DRAM布局實力。南亞科透露,已經投入轉進20奈米製程世代,為了布局下一世代技術以期讓企業永續經營,將會朝兩方面布局,一是手上握有向美光技轉1x和1y技術的權利,同時也會自己研發10奈米世代的DRAM技術。



李培瑛指出,南亞科目前在台灣和美國都有研發團隊,台灣研發團隊上百人,美國研發團隊有60人左右,未來會視10奈米世代研發的布局規劃來整合資源,且南亞科對於共同研發、生產採開放式的態度,不排除以策略合作方式與其他業者共同研發10奈米世代,但若談及與陸廠或陸資合作,這部分暫時不在考慮範圍之內。



業界分析,要研發10奈米世代的技術,至少需要上百億元的資金,南亞科若是有自主開發的意願,重啟策略聯盟是必走之路,這還不包括建置12吋廠成本,估計10萬片產能需要100億美元,相當於新台幣3,000億元的資金。



另一家台系記憶體代工廠力晶在DRAM策略上也有新布局,過去在營運困頓時,力晶將旗下的12吋晶圓廠機台賣給記憶體模組大廠金士頓(Kingston),產能約2萬片,但雙方合約將於2017年9月到期,力晶計劃將原始的機台設備買回,且重新議價代工合約,傳出力晶僅願意釋出1萬片的代工產能,另外1萬片產能想收回來自己靈活運用。



不只是南亞科、力晶在DRAM布局上轉為積極靈活,快閃記憶體(Flash)相關業者旺宏、華邦今年以來享受NOR Flash和SLC型NAND Flash大缺貨的價格漲幅,也都有建立新12吋晶圓廠,以及重新調整生產線的布局,全面在記憶體領域大顯身手!



對照對岸的進度,紫光集團旗下的長江存儲因應國家政策,暫時避開DRAM自主開發,專注在3D NAND技術研發上,一口氣圈下武漢、南京的12吋晶圓廠用地;聯電的晉華則是組織百人團隊朝3x和2x技術的DRAM自主開發,晉華的12吋晶圓廠在2018年下半完工後,要開始進入生產階段。



再者,合肥的睿力集成電路12吋廠幾乎完工,預計年底搬入設備,2018年上半進入生產,傳出切入19奈米製程技術生產。由於大陸三大記憶體陣營在蓋廠、技術研發、人員招募上都是緊鑼密鼓且正面交鋒,引此吸引眾多眼球關注。

19 半導體熱 鉅晶買廠房擴產 摘錄經濟A 17 2017-07-12
太陽能市況欠佳,太陽能大廠出售廠房,縮減產能,進而活化資產。專業8吋晶圓代工廠鉅晶以12.51億元標下太陽能電池大廠新日光竹南廠廠房及附屬設備,將做為擴充8吋晶圓代工產能,反映出半導體景氣續熱,太陽能市況則是持續低迷。

新日光昨(11)日公告,竹南廠賣給力晶轉投資的鉅晶,總金額12.51億元,估計獲利2,000萬元。新日光希望出售廠房,取得現金拓展太陽能模組和太陽能發電廠。新日光去年底縮減馬來西亞廠,並處分相關設備,提列資產減損,因應太陽能市況不佳,淡出多晶太陽能電池,轉進單晶太陽能和下游太陽能模組及發展太陽能電廠事業。董事會在5月決議出售原生產多晶太陽能電池與模組的竹南廠,以節省費用、活化資產。

新日光出售竹南廠後,在台灣將剩下竹科廠與南科廠;上月底新日光宣布位於竹科的高效太陽能模組廠落成啟用,是專為台灣市場打造的太陽能模組廠,產能約200MW(百萬瓦)。

這座廠房屋齡不到六年,全棟採節能規劃,並獲得LEED-NC白金級綠建築之設計認證,除廠房外,還有辦公空間、倉儲、餐廳與員工休憩場所,符合企業總部使用及生產需求,建物新穎可立即進駐投產,更享有科學園區土地租賃的優勢。

鉅晶目前股本25億元,是力晶100%持股子公司。鉅晶目前擁有一座8吋廠,規模無法與台積電、聯電及中芯國際等一線廠相抗衡,定位為中小型代工廠。

鉅晶承接電源管理和面板驅動IC等訂單滿載,一直思考擴充產能,標下新日光竹南廠後,將把原8吋廠的後段測試設備移往竹南廠,騰出空間以利擴充8吋晶圓代工產能。而力晶也打算合併鉅晶,此次鉅晶標下新日光竹南廠,對力晶重返上市之路有加分效果。
20 公告子公司鉅晶電子股份有限公司董事會決議擬取得 不動產之相關資訊 摘錄資訊觀測 2017-07-07
1.事實發生日:106/07/07
2.發生緣由:鉅晶電子股份有限公司董事會決議通過參與廠房標售案。
3.因應措施:無
4.其他應敘明事項:依董事會決議內容授權董事長執行投標相關事宜,交易確定後
再行補充公告。
 
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