晶圓代工邁向先進製程，傳統鍍膜技術遇到瓶頸。隨著台積電、英特爾、三星等大廠陸續導入立體電晶體架構，未來對ALD（原子層沉積）設備與前驅物需求將快速擴張，將帶動相關供應鏈營收成長。業界指出，台灣供應鏈天虹（6937）、京鼎（3413）、宇川等業者正積極搶進，期望在新世代製程中占有一席之地。

天虹攜手晶圓大廠共同開發ALD設備，可依客戶需求彈性調整腔體配置，展現高度客製化優勢；宇川則為台灣首家專業ALD／CVD（化學氣相沉積）有機金屬前驅物製造商，掌握材料端關鍵技術，產品已獲部分先進製程驗證。法人分析，相關設備與材料供應鏈正迎來新一波成長契機。

半導體業者強調，未來先進製程的勝負關鍵，不再僅是極紫外光（EUV）微影。今年下半年，台積電2奈米與英特爾18A先後進入量產，兩家公司分別採用Nanosheet（奈米片）與RibbonFET架構，均屬立體式設計，讓製程挑戰大幅升高。雖然2奈米的EUV光罩層數並未明顯增加，但如何在複雜3D結構中均勻鍍膜，才是最困難的一環。

業者指出，傳統CVD與PVD（物理氣相沉積）在3D結構上均有限制。以PVD為例，透過蒸鍍或濺鍍方式，往往無法覆蓋內部深層區域；CVD則因氣體反應速率過快，容易導致薄膜厚度不均。

相較之下，ALD透過前驅物（precursor）與晶圓表面逐層反應，反覆循環形成完整薄膜，具備絕佳的「包覆性」與「均勻性」。雖然沉積速度較慢，但在奈米甚至埃米等級結構中，展現無可取代的優勢。

半導體業者指出，ALD的核心在於前驅物材料。近年氨基矽烷、烷基醯胺等新型化合物引入，使前驅物性能大幅提升。例如，有些前驅物能在更高沉積溫度下保持自限性（self-limiting）反應，不僅提高沉積效率，也可改善薄膜的電氣與機械特性。這意味著，掌握關鍵前驅物的廠商，將成為推動先進製程進步的隱形推手。

此外，英特爾也積極嘗試ALE（原子層蝕刻）技術，藉由DUV（浸潤式微影）即可分割電晶體鰭片，製造相當於3奈米的結構。業界認為，該技術雖仍需克服規模化挑戰，但在成本控制上具明顯優勢，具備商業化潛力。

法人分析，隨著電晶體結構立體化、尺寸持續縮小，薄膜沉積的精度要求愈來愈高，已非CVD、PVD可完全勝任，必須仰賴ALD技術，才能實現原子級的均勻與精準控制。台廠在設備精密製造與材料研發上的優勢，將全力搶攻先進製程商機。

　　台積電2奈米（N2）將在2025下半年如期量產，2026年下半年跨入 埃米製程時代，原子層沉積（ALD）技術成為延續摩爾定律的關鍵推 手。ALD閥業者Swagelok認為，AI帶動高效能晶片需求，ALD站點（製 程機台配置）可望翻倍成長，法人看好天虹、京鼎、宇川等台灣在地 化供應業者。

　　台積電處長陳健博士表示，能源效率運算是AI成長的核心，需要器 件架構創新、微影技術進步、新材料應用、設計技術協同改善（DTC O）及系統技術協同改善（STCO）等多重技術突破。

　　ALD是控制原子層次的沉積技術，能將材料一層層精準堆疊。相較 傳統CVD（化學氣相沉積）與 PVD（物理氣相沉積），ALD的特性就像 「千層派」，能在晶圓表面均勻堆疊薄膜。Swagelok工程管理部門產 品設計總監Joao Borges預期，ALD在製程比重將由目前5～10％翻倍 提升。

　　Swagelok專精於ALD控制閥，最新的精準微量控制（Dose Control ）技術，導入感測器與電腦運算，結合預測時間校正演算法與氣動系 統改善，達到多閥門開關的精準控制。

　　天虹已有ALD設備交付實績，應用於光學領域。供應鏈透露，天虹 正與晶圓代工大廠合作2奈米以下製程，未來 TSV、晶背供電結構都 將大量導入ALD；尤其在CoWoS-L架構中，被動元件無法耐高溫，必須 透過低溫ALD工法完成襯墊（liner）沉積。

　　天虹已有ALD設備交付實績，應用於光學領域。供應鏈透露，天虹 正在與晶圓代工大廠合作2奈米以下製程，未來TSV、晶背供電結構， 都將大量導入ALD應用；尤其在CoWoS-L架構中，被動元件無法耐高溫 ，必須透過低溫ALD工法完成襯墊（liner）沉積。

　　ALD前驅物公司宇川指出，金屬前驅物決定沉積材料種類，並需要 開發特殊的化學品來實現原子結構的堆疊；如同「穿了衣服的原子」 ，這些「衣服」在化學品之間不能反應，但在材料表面能與氧化物等 反應，以實現精確的單層沉積。

公告內容：
宇川精密材料科技股份有限公司
統⼀編號：53322851
公告事項：發行新股之相關公告
公告期間：114年08⽉26⽇ 00:00 ~ 113年10⽉16⽇ 00:00
公告事項之法條依據：公司法第267條第3項
公告內容：
主旨： 公告本公司114年第1次現金增資發行新股案。(調整每仟股得認購股數)
公告事項：
(⼀) 本公司於114年08⽉11⽇及8月26日董事會決議通過，為廠房設備擴充、充實營運資金、改善財務結構， 擬辦理現金增資新股股數為13,000,000股，每股⾯額新台幣1 0 元， 以每股新台幣75元發⾏。
(⼆) 本次現金增資除依公司法第267條規定，除保留15%即1,950,000股供員工認購外，其餘85%即11,050,000股，由原股東按照認股基準日股東名簿記載之持股比例認購，按64,409,000股之股本計算，每仟股得認購171.559875股，認購不足一股之畸零股，自停止過戶日起五日內由股東自行併湊。原股東及員工放棄認股之股份或併湊不足一股之畸零股，授權董事長洽特定人認購。
(三)本次現⾦增資發⾏新股，其權利、義務與原發行之普通股股份相同。
(四) 擬定本次現⾦增資發⾏新股相關⽇期如下：
1 . 認股基準⽇： 114年08月31日
2 . 股票最後過⼾⽇：114年08月26日
3 . 停⽌過⼾期間： 114年08月27日至114年08月31日
4 . 原股東繳款⽇： 114年09月08日至114年10月08日
5 . 特定⼈繳款⽇： 114年10月09日至114年10月16日
6 . 增資基準⽇： 114年10月16日，現金增資基準日若有異動，授權董事長全權處理。
7 . 本次增資發⾏新股， 如因實際作業需要⽽須變動或其他相關未盡事宜， 授權董事⻑依公司法或其相關法令規定全權處理之。
(五)凡持有本公司股票而尚未辦理過⼾之股東， 務請於民國114年08⽉26⽇( 星期二) 1 6 時3 0 分前親臨本公司股務代理機構「福邦證券股份有限公司股務代理部」(台北市忠孝西路一段6號6樓)，辦理過⼾⼿續，掛號郵寄者以民國114年08月26日（最後過戶日）郵戳日期為憑。
(六) 認股繳款書將於114 年09 ⽉03⽇( 星期三) 前寄發， 屆時如有未收到者， 請逕向本公司股務代理部洽詢補發（電話：(02)2371-1658）。
(七)因員工認股權執行認購股份5,419,000股，致認股基準日發行股數異動及調整原股東每仟股得認購股數，特此公告。